上海载德半导体技术有限公司

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电化学CV剖面浓度测试仪
电化学CV剖面浓度测试仪
产品详情

产地:德国WEP

型号:CVP21;


电化学电容-电压测试,也称为电化学C-VECV掺杂浓度检(C-V Profiling)PN结深测试等。电化学C-V主要用于半导体材料的研究及开发,其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业的检测,是半导体、化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。

电化学ECV剖面浓度分析仪(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。

WEP CVP21模块化的系统设计结构使得本系统可以高效准确的测量半导体材料结构层中的掺杂浓度分布选用合适的电解液与材料接触腐蚀,从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制


应用领域:

CVP21应用范围宽,可有效检测外延材料、材料的离子注入、材料的扩散工艺,可用于绝大多数的半导体材料。

- IV族化合物半导体如:硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…

- III-V族化合物半导体如:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…

- 三元III-V族化合物半导体如:铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…

- 四元III-V族化合物半导体如:铝镓铟磷(AlGaInP)等…

- 氮化物如:氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…

- II-VI族化合物半导体如:氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…

- 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)


技术规格特点

- 载流子浓度测量范围1011/cm3 ~ 1021/cm3

- 深度分辨率:1nm ~ 100um

- 样品尺寸:碎片(2x4mm) ~ 8晶圆片;

- 模块化结构光学电子和化学部分相对独立系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计)

- 免校准的系统(完全自校准的电子系统,电电容均无须用户再次校准)

- 实时监控腐蚀过程;

- 电化学样品池自动装载/排出/再装载,样品干燥进出(dry-in/dry-out);

- 全自动测试;

- 提供免费样品测试并提供测试报告


参考用户:

上海交通大学、西安205所、中科院上海技术物理研究所、协鑫集成、晶澳太阳能、英利能源等.

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