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原子层沉积系统
产品详情

产地:美国Angstrom

型号:Angstrom Dep II, Angstrom Dep III


原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)是一种原子尺度的薄膜制备技术它可以沉积均匀一致厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展,器件和材料的尺寸要求不断地降低,同时器件结构中的宽深比不断增加,这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。


主要型号:

- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD);

- Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD);

- Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD);


技术规格特点:

- 基底尺寸:3英寸,4英寸,6英寸,8英寸,12英寸

- 基底加热温度25~450(选配:650)

- ALD沉积均匀性:<1% (AL2O3@4晶圆衬底)

- 前驱体源路:4/ 6/ 8路,可选;

- 源瓶容量/温度:100cc,常温 / 150/ 200/ 250℃可选;

- ALD阀门:Swagelok高温ALD阀,150/ 200/ 250℃可选;

- 载气:氮气或者氩气;

- 真空获得系统:阿尔卡特真空机械泵,也可选配普发分子泵或高速干泵;

- 其他可选模块 Load-Lock样品传输腔室,手套箱,冷阱,臭氧发生器,等离子体源、粉末沉积腔,各种原位监测模块,尾气处理系统等;


ALD可沉积材料分类:

- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

- 金属单质:Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

等等


参考用户:

中科院化学所,中科院大连化物所,中科院长春光机所,北京大学,北京工大,北京科大,电子科大,上海理工大学


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