上海载德半导体技术有限公司

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低压化学气相沉积系统(LPCVD)
产品详情


产地:韩国


LPCVD低压化学气相沉积法是用加热的方式,在低压条件下,使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低,气体分子的平均自由程和扩散系数大,故可采用密集装片方式来提高生产率,并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD 用于淀积Poly-SiSi3N4SiO2磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜,广泛应用于半导体集成电路、电力、电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。


技术规格特点:

  .适用硅片尺寸:4inch ~ 6inch

   .工作温度范围:350~1000℃;

  . 恒温长度及精度:760mm±1℃;

  . 温度梯度:0~30℃可调;

  . 系统极限真空度:0.8 Pa

  . 工作压力范围:30Pa~133Pa可调;

  . 淀积膜种类: Poiy-SiSiO2Si3N4

  . 淀积膜均匀性:<±3%


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